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北京科技大學---基于頻帶工程和鐵電調制的超靈敏深紫外光檢測器
通過 BaTiO3 中間層，擴大了導帶偏移，從而抑制了暗電流，同時由于價帶偏移的單向導電性增強了光電流。
2025-05-23 17:15:17
KAUST研制出硅襯底上常關型 Ga?O? 功率晶體管
在硅基氮化鎵（GaN-on-Si）襯底上制造出了閾值電壓（VTH）為 3 V 的常關型 β 相氧化鎵（β-Ga2O3）金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）。
2025-05-23 17:20:38
復旦大學---通過O?等離子體和退火實現了超過 1.2GW/cm² β-Ga?O? SBD，擊穿電壓為 1.93kV
通過應用 O2 等離子體和退火處理（OPAT），β-Ga2O3 肖特基勢壘二極管（SBD）的電性能得到了顯著提升。
2025-05-23 09:50:32
西安電子科技大學郝躍院士、張進成教授團隊---W/Au β-Ga?O?肖特基二極管的勢壘不均勻性與電學特性
通過 450 °C 陽極后退火（PAA），β-Ga2O3 表面的氧空位缺陷減少，從而改善了 W/Au Ga2O3 肖特基二極管的正向特性，擊穿電壓顯著提高。
2025-05-23 09:34:42
哈爾濱工業大學---通過鎵間隙工程實現用于抗干擾光學人機交互系統的β-Ga?O?光電導光電探測器的超低暗電流
本研究展示了一種應用于抗干擾光學人機交互系統的 β-Ga2O3 光電導型光探測器，其出色的響應度和極低的暗電流歸因于對內在缺陷的策略性調控。
2025-05-12 18:44:36
復旦大學&蘇州納米所---通過MOCVD技術生長高質量β-Ga?O?/AlN SBD的能帶排列、熱傳導特性和電學性能
研究團隊通過金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）方法生長制備 β-Ga2O3/AlN 異質結及其肖特基二極管。
2025-05-12 18:39:00
